上海芯赫科技有限公司 main business:从事电子技术、芯片技术、传感技术、计算机技术、物联网技术领域内的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务，计算机、软件及辅助设备（除计算机信息系统安全专用产品）、电子产品的销售，从事货物及技术的进出口业务。【&#yfpz】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J237室.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
- 913101140678332504
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司
- 2013年5月14日
- 冯良
- 1000万人民币
- 至 永久
- 嘉定区市场监管局
- 2013年5月14日
- 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J237室
- 从事电子技术、芯片技术、传感技术、计算机技术、物联网技术领域内的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务，计算机、软件及辅助设备（除计算机信息系统安全专用产品）、电子产品的销售，从事货物及技术的进出口业务。【&#yfpz】
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105743328A | 一种晶体管、电荷泵组件以及电荷泵 | 2016.07.06 | 本发明实施例公开了一种晶体管、电荷泵组件以及电荷泵，该晶体管外部接入端包括源极在内的至少两个接入端， |
| 2 | CN106018880A | 一种含有自检测功能的面内电容式加速度传感器及其制造方法 | 2016.10.12 | 本发明提供了一种含有自检测功能的面内电容式加速度传感器，至少具有一个面内加速度敏感方向，基于预制空腔 |
| 3 | CN106248993A | 一种含有过载限位装置的电容式加速度传感器及其制造方法 | 2016.12.21 | 本发明提供了一种含有过载限位装置的电容式加速度传感器，包括晶圆硅衬底，质量块，以及至少一个过载限位装 |
| 4 | CN106248994A | 一种含有自检测功能的面外电容式加速度传感器及其制造方法 | 2016.12.21 | 本发明提供了一种含有自检测功能的面外电容式加速度传感器，基于预制空腔SOI晶圆，预制空腔SOI晶圆依 |
| 5 | CN105036059B | 一种电容式MEMS传感器的加工方法及传感器结构 | 2017.01.25 | 本发明公开提供一种电容式MEMS传感器的加工方法及电容式MEMS传感器，该方法可以利用SON(sil |
| 6 | CN106290985A | 一种电容式复合传感器及其制造方法 | 2017.01.04 | 本发明提供了一种电容式复合传感器，包括压力传感器、加速度传感器，其加速度传感器包括质量块，以及至少一 |
| 7 | CN106289334A | 一种具有自检测功能的电容式复合传感器及其制造方法 | 2017.01.04 | 本发明提供了一种具有自检测功能的电容式复合传感器，包括至少一个加速度传感器和一个压力传感器，基于预制 |
| 8 | CN106199072A | 一种含有自检测功能的多轴压阻式加速度传感器及其制造方法 | 2016.12.07 | 本发明提供了一种含有自检测功能的多轴压阻式加速度传感器，基于SOI晶圆，所述的SOI晶圆依次设置有衬 |
| 9 | CN106100584A | 压控振荡电路 | 2016.11.09 | 本发明实施例涉及一种无线通讯技术，尤其涉及一种压控振荡电路，包括：带隙基准单元：滤波单元，输入端连接 |
| 10 | CN106093471A | 一种含有自检测功能的面内压阻式加速度传感器及其制造方法 | 2016.11.09 | 本发明提供了一种含有自检测功能的面内压阻式加速度传感器，基于SOI晶圆制作，所述的SOI晶圆依次设置 |
| 11 | CN106018879A | 一种MEMS加速度传感器及制造方法 | 2016.10.12 | 本发明涉及传感器加工技术领域，尤其涉及基于MEMS加工工艺制成的MEMS加速度传感器，包括硅衬底、硅 |
| 12 | CN105890827A | 一种电容式压力传感器及其制造方法 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种电容式压力传感器及其制造方法。方法包括：在衬底中形成空腔和位于空腔上方的悬空薄膜，其 |
| 13 | CN105883713A | 一种电容式复合传感器及其制造方法 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种电容式复合传感器及其制造方法。所述方法包括：在衬底中形成独立的第一空腔和第二空腔，所 |
| 14 | CN105675921A | 一种加速度传感器及其制作方法 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种加速度传感器及其制作方法，所述方法包括：在衬底中形成空腔和位于所述空腔上方的与衬底绝 |
| 15 | CN105424090A | 一种MEMS压阻式复合传感器及其加工方法 | 2016.03.23 | 本发明公开一种MEMS压阻式复合传感器，包括衬底硅以及用于形成加速度传感器、压力传感器以及温度传感器 |
| 16 | CN105353167A | 一种MEMS压阻式加速度传感器及其加工方法 | 2016.02.24 | 本发明公开一种MEMS压阻式加速度传感器，包括衬底硅以及用于形成加速度传感器的顶层硅，所述衬底硅与所 |
| 17 | CN105174201A | 一种MEMS集成复合传感器及其加工方法 | 2015.12.23 | 本发明公开一种MEMS集成复合传感器，包括作为衬底硅材料的<111>晶向晶圆，所述晶圆的 |
| 18 | CN105036059A | 一种电容式MEMS传感器的加工方法及传感器结构 | 2015.11.11 | 本发明公开提供一种电容式MEMS传感器的加工方法及电容式MEMS传感器，该方法可以利用SON(sil |
| 19 | CN104993804A | 一种MEMS谐振结构的加工方法 | 2015.10.21 | 本发明公开一种MEMS谐振结构的加工方法，提供硅晶圆作为衬底硅，在衬底硅的表面生长第一掩膜层；在第一 |
| 20 | CN104991086A | 一种MEMS加速度传感器的加工方法及加速度传感器 | 2015.10.21 | 本发明公开一种MEMS加速度传感器的加工方法，采用〈111〉晶向的硅晶圆作为衬底硅，在所述衬底硅上刻 |
Map(The red dot in the figure below is 上海芯赫科技有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
